授课对象：

课程类别：专业课

课程门类：

总学时：54

课程教材：

先修课程:固体物理

参考书目：

《半导体器件物理与工艺》施敏、李明达著，王明湘、赵鹤鸣译，苏州大学出版社，2019

课程简介：

教学内容包括：半导体晶体结构和电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中的载流子、半导体的导电性、非平衡载流子、P-N结二极管、金属-半导体接触、双极晶体管、MOS场效应晶体管、光电探测器和太阳能电池、晶体生长和外延、薄膜沉积、光刻与刻蚀、杂质掺杂、集成器件等。 基本要求：了解常用半导体材料的晶体结构、能带与能隙、杂质类型和缺陷能级；熟悉漂移、扩散、复合、产生等的载流子输运现象和载流子浓度分布；了解半导体器件的物理机制、器件特性和工作原理；了解半导体器件的一般制备工艺；基础知识：半导体材料的物理基础，P-N结，MS结器件制备工艺；重点知识：MOS器件、双极晶体管。