授课教师：210143

总学时：54

课程教材：《微电子器件》，陈星弼、陈勇、刘继芝·、任敏，电子工业出版社，2018

先修课程：半导体物理、半导体器件物理

主要参考书目：

《集成电路产业全书》，王阳元，电子工业出版社，2018

[1]. 《Emerging Nanoelectronic Devices》，An Chen, James Hutchby, Victor Zhirnov, George Bourianoff，WILEY，2015

课程内容简介（中文）：针对现代集成电路中常用的微电子器件，讲授多种类型的MOS场效应晶体管的相关技术，如平面晶体管、SOI 器件、多栅场效应晶体管、负电容晶体管、高迁移率器件等的工作原理、结构特点、基本性能，同时结合先进工艺节点下新型器件的发展趋势，介绍非经典器件如超陡亚阈摆幅器件、自旋电子器件、二维半导体器件及新型存储器件的相关技术。面向集成电路设计的实际应用，讲授纳米尺度下微电子器件的仿真、建模及可靠性问题。

课程内容简介（英文）：