微纳光电子器件-2024-2025-2
授课对象：
课程类别：专业选修课
课程门类：
总学时：54
课程教材：
先修课程:无
参考书目：
《光电子学与光子学：原理与实践》，S.O.KASAP著，罗风光译，电子工业出版社，2021
课程简介：
教学内容包括：光的波动性、介质波导与光纤、半导体学与发光二极管、受激辐射器件-光放大器与激光器、光电探测器和图像传感器、光的偏振与调制等。
思政内容包括：讲授课程（1）基于早期光的性质发展，粒子论和波动论的博弈，激励学生立足实验和理论，做出突破性创新；（2）结合杰出华人科学家高锟在光纤方面的成就，激励学生潜心钻研，做出从0
MEMS与传感技术-20241MST621601
授课对象：
课程类别：专业选修课
课程门类：
总学时：54
课程教材：
先修课程:半导体物理、半导体器件、电子技术
参考书目：
《微机械电子系统及其应用（第二版）》主编：刘广玉，出版社：北京航空航天大学出版社，ISBN号 9787512414518，出版时间 2015-01-01。
课程简介：
本课程教学内容主要包括：微系统概述，微机电系统功能材料，微机械制造技术，微机械执行器，微机械传感器，微机械弱信号检测与处理。安排微加工实验课程包括：干法刻蚀、磁控溅射镀膜、紫外光刻技术等。
考核方式：考查
平时成绩50%：课堂报告（30%）+考勤（20%）
微电子制造工艺-2024-2025-1
授课对象：
课程类别：专业方向课
课程门类：
总学时：54
课程教材：
先修课程:无
参考书目：
《集成电路制造技术:原理与工艺》
王蔚 电子工业出版社
本课程主要讲授现代集成电路制造基础工艺，重点阐述核心及关键制造工艺的基本原理。学生将较为全面的掌握单晶硅衬底结构特点，体硅和外延片的制造方法；以及硅基常规平面工艺的各单项工艺：氧化、掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试等的原理、方法、设备，以及依托的技术基础和发展趋势。
工程伦理-2023-2024-2(2)
授课对象：
课程类别：专业课
课程门类：
总学时：36
课程教材：
先修课程: 无
参考书目：
工程伦理（第2版）
李正风、丛杭青、王前
等 编著
清华大学出版社
课程简介：
一、 树立“五大发展理念——创新、协调、绿色、开放、共享”，讲述工程伦理教育的必要性及意义，三个有利于：
1. 有利于提升工程师伦理素养，加强工程从业人员的社会责任感
2. 有利于推动可持续发展，实现人与自然协同进化
教师: 罗华煌
微电子器件学-2023-2024-1
授课对象：
课程类别：专业课
课程门类：
总学时：54
课程教材：
先修课程:固体物理
参考书目：
《半导体器件物理与工艺》施敏、李明达著，王明湘、赵鹤鸣译，苏州大学出版社，2019
课程简介：
教学内容包括：半导体晶体结构和电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中的载流子、半导体的导电性、非平衡载流子、P-N结二极管、金属-半导体接触、双极晶体管、MOS场效应晶体管、光电探测器和太阳能电池、晶体生长和外延、薄膜沉积、光刻与刻蚀、杂质掺杂、集成器件等。 基本要求：了解常用半导体材料的晶体结构、能带与能隙、杂质类型和缺陷能级；熟悉漂移、扩散、复合、产生等的载流子输运现象和载流子浓度分布；了解半导体器件的物理机制、器件特性和工作原理；了解半导体器件的一般制备工艺；基础知识：半导体材料的物理基础，P-N结，MS结器件制备工艺；重点知识：MOS器件、双极晶体管。
微纳电子器件与集成技术-2023-2024-1
授课对象：
课程类别：专业课
课程门类：
总学时：54
课程教材：
先修课程:固体物理
参考书目：
《半导体器件物理与工艺》施敏、李明达著，王明湘、赵鹤鸣译，苏州大学出版社，2019
课程简介：
教学内容包括：半导体晶体结构和电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中的载流子、半导体的导电性、非平衡载流子、P-N结二极管、金属-半导体接触、双极晶体管、MOS场效应晶体管、光电探测器和太阳能电池、晶体生长和外延、薄膜沉积、光刻与刻蚀、杂质掺杂、集成器件等。 基本要求：了解常用半导体材料的晶体结构、能带与能隙、杂质类型和缺陷能级；熟悉漂移、扩散、复合、产生等的载流子输运现象和载流子浓度分布；了解半导体器件的物理机制、器件特性和工作原理；了解半导体器件的一般制备工艺；基础知识：半导体材料的物理基础，P-N结，MS结器件制备工艺；重点知识：MOS器件、双极晶体管。